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一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主,而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中,受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高,亦即何者为此外质半导体的“多数载子”(majority carrier)。和多数载子相对的是少数载子(minority carrier)。对于半导体元件的操作原理分析而言,少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。


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一般来说,一家半导体产业的相关企业,半导体设计外派,不会以单一的产品设计为主,在自己搞技术开发的同时,也会配备相关的生产流水线,生产自己的产品以获取利润,因为单一的设计不可能满足得了一个企业的需求,也不可能有足够这方面的人才,因为近几年来我国在半导体方面的人才需求量在400万以上,但是真正学半导体或者光电工程专业的毕业生却不到100万。


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半导体发展历程:


1873年,英国的史密1斯发现晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首1次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年,德国的布劳恩观察到某些化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。




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